Caractéristiques :

Imagerie de surface d’échantillons en haute résolution : 1 nm à 15 kV en signal électrons secondaires (SE).

Possibilité de travailler à basse tension d’accélération, voire même à quelques centaines de volts pour les échantillons fragiles (résolution 3 nm à 1 kV).

Imagerie en contraste de composition chimique même à basse tension d’accélération grâce à un filtrage en énergie des électrons émis.